中經(jīng)記者譚倫北京報道

　　日前，在低調(diào)官宣2納米制程已于2025年第四季度正式量產(chǎn)后，臺積電披露下一代1.4納米工藝研發(fā)工作也已順利展開，其相關(guān)工廠建設(shè)正加速推進。按照既有節(jié)奏，其1.4納米工藝的風險性試產(chǎn)工作預期將于2027年啟動。

　　這一系列的進展，在鞏固臺積電在晶圓代工領(lǐng)域霸主地位的同時，也宣告全球半導體物理制造極限的產(chǎn)業(yè)競爭正式進入全新的1納米時代。在當前的全球半導體制造版圖中，臺積電占據(jù)絕對主導，三星奮力追趕，英特爾則試圖通過技術(shù)革新實現(xiàn)彎道超車。其中，三星電子希望通過率先應用GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)實現(xiàn)“彎道超車”；昔日霸主英特爾則在“五年四個節(jié)點”戰(zhàn)略的驅(qū)動下，試圖通過制程之爭重回巔峰。

　　目前，臺積電尚未披露采用其1.4納米制程的客戶名單。但據(jù)媒體報道稱，蘋果已拿下臺積電2納米初期半數(shù)以上的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)A20和A20 Pro芯片，因此，市場預計其大概率會再度成為1.4納米的最大客戶。

　　對此，CHIP中國實驗室主任羅國昭向《中國經(jīng)營報》記者表示，半導體先進制程的研發(fā)素來緊湊，量產(chǎn)一代之際，下一代的預研便已開始。考慮到當前全球市場對AI算力的巨大需求，2納米至1.4納米的過渡間隔或?qū)⒖s短，其量產(chǎn)進程或也將進一步提前。

　　“破2進1”雙線推進

　　作為當前全球半導體制造領(lǐng)域的執(zhí)牛耳者，臺積電一直以其精準的時鐘節(jié)奏著稱。此次2納米的量產(chǎn)與1.4納米的推進依然如此。半導體產(chǎn)業(yè)分析師季維認為，制程轉(zhuǎn)換背后，也意味著臺積電完成了從FinFET（鰭式場效應晶體管）架構(gòu)向GAA架構(gòu)的平穩(wěn)過渡。

　　據(jù)臺積電官方信息，最新量產(chǎn)的2納米工藝（N2）采用第一代納米片晶體管架構(gòu)，較此前3納米/3納米增強版在能耗與性能上有較大改進。其中，相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶體管密度提升約20%。量產(chǎn)上也形成多廠擴產(chǎn)格局，同時服務蘋果、英偉達等客戶，展現(xiàn)出對多元需求的覆蓋。

　　臺積電CEO魏哲家表示，2納米良率表現(xiàn)良好，2026年將在智能手機與AI/HPC需求推動下加速產(chǎn)能爬坡。得益于穩(wěn)定的良率控制與頭部客戶加持，臺積電2納米制程有望快速形成規(guī)模效應，進一步拉開與競爭對手的差距。

　　而對于正在推進的1.4納米制程，已釋出的信息顯示，其技術(shù)路線被視為臺積電“漸進式更小節(jié)點”的戰(zhàn)略。一方面，其繼續(xù)在N2上滾動優(yōu)化（N2派生版本），另一方面，則推進研發(fā)與產(chǎn)線前置建設(shè)，以便在N2成熟后迅速轉(zhuǎn)入下一代節(jié)點的試產(chǎn)與放量。

　　在技術(shù)路線上，據(jù)臺媒相關(guān)消息，1.4納米制程或延續(xù)GAA架構(gòu)并引入超級電軌背面供電技術(shù)，重點優(yōu)化AI芯片與高性能計算場景的性能表現(xiàn)。但其初期良率或低于20%，待逐步攀升后，AG莊閑游戲需求才可能迎來激增。

　　目前，臺積電目標是在2027年前后啟動1.4納米制程風險試產(chǎn)，2028年前后逐步進入量產(chǎn)。羅國昭認為，按照市場信息推斷，臺積電短期仍會以2納米為主，產(chǎn)能聚焦高端手機或AI芯片供給。中期則預計將視1.4納米良率曲線而定，若能在進入量產(chǎn)的前一年內(nèi)將良率推高，市場需求便可能出現(xiàn)“彈性爆發(fā)”。

　　季維則認為，由于1.4納米制程的晶體管尺寸進一步微縮，光刻圖案的重疊精度要求已達到原子級，這使得每片晶圓的造價成本可能急劇攀升，從而影響其市場定價。但考慮到先進制程客戶的營收能力，有望進一步推高臺積電未來的收入。

　　三星、英特爾緊隨

　　作為臺積電目前最直接的兩大對手，三星和英特爾長期以來一直與其在先進制程上角力。業(yè)內(nèi)廣泛認為，此次臺積電“破2進1”，將逼迫三星和英特爾加緊追趕步伐。

　　從2022年開始就實現(xiàn)3納米GAA工藝量產(chǎn)、與臺積電針鋒相對的三星，近年來在產(chǎn)品路線上提出明確的時間表：早在對外發(fā)布的制程路線圖中，三星曾將2納米與1.4納米納入其中長期計劃，并規(guī)劃到2027年前后推進1.4納米級別的制程投產(chǎn)。

　　公開信息顯示，其第二代2納米工藝（SF2P）采用進階版MBCFET架構(gòu)，相較3納米性能提升12%、功耗降低25%，同時引入后側(cè)電源交付網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，莊閑和游戲優(yōu)化功率效率。在剛剛舉行的2026 CES展上，高通CEO安蒙透露，已就2納米芯片代工與三星進行積極洽談，相關(guān)設(shè)計工作已完成，目標是盡快實現(xiàn)商業(yè)量產(chǎn)。

　　在羅國昭看來，三星的優(yōu)勢在于其在設(shè)備整合、封裝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的一體化協(xié)同，但挑戰(zhàn)在于若要與臺積電抗衡，仍需要持續(xù)改善良率。近年來，三星曾在某些關(guān)鍵節(jié)點上暴露出良率低的問題，導致部分客戶轉(zhuǎn)單或拖延，因此，良率也成為三星過去兩年的改進重心。

　　以2納米為例，初期三星2納米良率僅20%—30%，經(jīng)持續(xù)優(yōu)化，至2025年年底已達40%—50%，目標是在2026年年初提升至70%。盡管仍低于臺積電2納米70%以上的良率水平，但也能滿足大規(guī)模商業(yè)化的基本要求。三星官方信息顯示，其正將德州工廠作為2納米產(chǎn)能核心，通過多元化供應鏈策略分流臺積電客戶資源，在先進制程市場搶占更多份額。

　　而老牌巨頭英特爾則以“回歸制造”與“代工廠擴張”為雙重目標。在近年來提出包括18A（等同于1.8納米級別）、14A（等同于1.4納米級別）等命名的路線，并通過美國官方投資法案與巨額資本投入，加速本土產(chǎn)能擴張。

　　記者從英特爾方面獲悉，目前其18A制程引入RibbonFET（GAA晶體管）與PowerVia（背面供電）雙重技術(shù)，已于2025年進入量產(chǎn)階段，預計在2026年擴大商業(yè)化應用。

　　羅國昭認為，18A被英特爾視為“奪回制程領(lǐng)導權(quán)”的關(guān)鍵。如果18A能證明其效能，那么14A則有望吸引大量原本屬于臺積電的客戶。

　　就在2025年10月，英特爾曾公開展示基于18A工藝的Panther Lake處理器晶圓。目前，其正將亞利桑那州工廠作為18A產(chǎn)能核心，目標是拿到蘋果、英偉達等頭部客戶的訂單，以重塑其在晶圓代工市場的地位。

　　市場價值初顯

　　伴隨1.4納米制程進入研發(fā)周期，全球半導體產(chǎn)業(yè)價值也有望迎來新一輪增長，同時推動下游應用領(lǐng)域的技術(shù)革新。

　　季維認為，進入2納米制程后，1.4納米將不只是代表一個孤立的技術(shù)節(jié)點，而是連接智能終端、云端AI、邊緣計算與汽車電子等多重場景的關(guān)鍵橋梁。若1.4納米能夠在2027—2028年進入穩(wěn)定放量期，其打通融合多應用場景預計將是其首要價值。

　　從需求端來看，AI芯片、智能駕駛、高端消費電子是1.4納米工藝的核心應用場景。據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會及其他機構(gòu)發(fā)布的研報，2025年AI芯片制造商對3納米及以下制程設(shè)備采購量同比激增，占全球先進設(shè)備總需求的三成以上，隨著大模型訓練與推理需求持續(xù)釋放，1.4納米制程將成為AI芯片性能突破的關(guān)鍵支撐。

　　智能駕駛領(lǐng)域同樣潛力巨大，車規(guī)級芯片正逐步向1.4納米及以下工藝滲透，1.4納米制程可實現(xiàn)更高的算力密度與更低的功耗，滿足自動駕駛感知、決策、控制等多環(huán)節(jié)的高性能需求。

　　據(jù)Gartner、IDC等第三方機構(gòu)預測，到2030年，全球先進制程（5納米以下）代工市場規(guī)模將突破1200億美元。其中，1.4納米及以下節(jié)點將占據(jù)高端邏輯芯片產(chǎn)值的40%以上。

　　季維指出，由于1.4納米極高的進入壁壘，已有市場機構(gòu)預計其初期代工單價將比3納米高出約50%。這對晶圓廠而言，盡管研發(fā)成本高企，但其長尾效應可能帶來的利潤卻非常驚人。

　　對于市場競爭格局，羅國昭認為，若臺積電在1.4納米上能夠盡快取得快速良率提升，并與大客戶綁定，臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢將進一步放大，可能導致高端市場的“單極”格局短期內(nèi)更穩(wěn)固。反之，若三星或英特爾通過差異化技術(shù)或本地化政策工具成功爭取到高價值訂單，則全球高端代工市場可能出現(xiàn)更明顯的“分區(qū)化”競爭，客戶會根據(jù)產(chǎn)品類別與合規(guī)需求選擇不同代工廠，而這一點，在1.4納米時代可能會更明顯。

　　此外，對于各方關(guān)注的中國市場，先進制程領(lǐng)域的競爭壓力也正在倒逼本土企業(yè)加速突圍。目前以中芯國際為代表的廠商在成熟制程領(lǐng)域持續(xù)擴產(chǎn)，同時加大先進技術(shù)研發(fā)投入。Yole Group預測，2030年中國大陸有望以30%的全球晶圓代工產(chǎn)能份額，成為全球最大代工中心。雖然在先進制程方面仍面臨突圍挑戰(zhàn)，但這種追趕，無疑將令1.4納米時代的競爭格局充滿想象空間。